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第一届“碳化硅器件的缺陷工程制造”中德双边研讨会在北京召开

来源:更新时间:2019-12-08

  由中德科学中心资助、天津大学和德国埃尔朗根-纽伦堡大学联合承办的第一届“碳化硅器件的缺陷工程制造-原子尺度模拟、表征分析和加工方法”中德双边研讨会于2019年11月10日至14日在中国北京举行。会议中方主席为天津大学徐宗伟副教授,德方主席为德国埃尔朗根-纽伦堡大学、弗劳恩霍夫协会的马蒂亚斯?隆美尔博士。本次研讨会共邀请了来自亥姆霍兹-德累斯顿离子束物理与材料研究所、弗劳恩霍夫集成系统和元器件技术研究所、弗劳恩霍夫材料和光束技术研究所、朱利叶斯-马克西米利安维尔茨堡大学、明斯特大学、弗莱堡阿尔伯特-路德维希大学、埃尔朗根-纽伦堡大学、不莱梅大学等高校和研究机构的12位德国代表,来自清华大学、北京大学、中国科学技术大学、天津大学、大连理工大学、华东师范大学、东南大学、山东大学、四川大学、兰州大学、西北工业大学、哈尔滨工程大学、烟台大学、中科院半导体研究所、中科院近代物理研究所、中科院上海微系统所等高校和研究所50余位中国代表,和来自意大利国家研究委员会的1位第三方代表,参加本次中德双边研讨会。

  与会代表紧密围绕碳化硅器件制造中的缺陷工程主线,从原子尺度模拟、加工方法、表征分析和典型应用等碳化硅缺陷工程相关议题,进行了精彩的学术报告和深入的交流讨论。会议期间中德代表还参观了中科院半导体研究所实验室和中科钢研节能科技有限公司,并进行了技术交流。研讨会为来自工程、物理、化学和材料等不同学科的科学家之间开展新的国际合作交流建立了联系,有望为中德两国科学家们之间在新一代宽禁带半导体材料及其器件的研究和应用领域建立长期有效的国际合作平台。

(编辑:雷鹏宇)

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